HS26P10E產(chǎn)品簡介：

       HS26P10E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機(jī)，它內(nèi)部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。

CPU特性：

        ◆   除了跳轉(zhuǎn)指令2個指令周期外，其他指令都是一個指令周期

        ◆   2K*16位片內(nèi)ROM
        ◆   可直接、間接尋址
        ◆   3個8位定時器：

                TC0：外部事件計數(shù)器/PWM0/ Buzzer輸出。

                TC1：外部事件計數(shù)器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                TC2：外部事件計數(shù)器/PWM2/ Buzzer輸出 

        ◆  內(nèi)置上電復(fù)位，掉電復(fù)位

        ◆  內(nèi)置上電復(fù)位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

        ◆  內(nèi)置可預(yù)分頻WDT

        ◆  四種振蕩模式

               內(nèi)置高速振蕩器16MHz

               內(nèi)置低速振蕩器32K

               外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

               外置低速晶體振蕩器32.768KHz

        ◆  一個安全位（代碼寄存器中）保護(hù)程序不被讀出
        ◆  128*8 bit SRAM
        ◆  3組標(biāo)準(zhǔn)雙向I/O端口
        ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
        ◆  6種可用中斷

               4個內(nèi)部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  2個外部中斷：INT0，INT1

        ◆  ADC

               5個外部ADC輸入

              1個內(nèi)部電池檢測

              內(nèi)部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V）