HS26P003E產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

       HS26P003E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機(jī)，它內(nèi)部包含一個(gè)2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲(chǔ)器(OTP-ROM)。

CPU特性：

        ◆ 除了跳轉(zhuǎn)指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期

        ◆  2K*16位片內(nèi)ROM

        ◆  可直接、間接尋址

        ◆  3個(gè)8位定時(shí)器：

              TC0：外部事件計(jì)數(shù)器/PWM0/ Buzzer輸出。

              TC1：外部事件計(jì)數(shù)器/PWM1/ Buzzer輸出。 

              TC2：外部事件計(jì)數(shù)器/PWM2/ Buzzer輸出 

        ◆  內(nèi)置上電復(fù)位，掉電復(fù)位
        ◆  內(nèi)置上電復(fù)位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT
        ◆  內(nèi)置可預(yù)分頻WDT
        ◆  四種振蕩模式

              內(nèi)置高速振蕩器16MHz

              內(nèi)置低速振蕩器32K

              外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

              外置低速晶體振蕩器32.768KHz

        ◆  一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護(hù)程序不被讀出
        ◆  128*8 bit SRAM
        ◆  3組標(biāo)準(zhǔn)雙向I/O端口
        ◆  8級(jí)用于子程序嵌套的堆棧
        ◆  6種可用中斷

               4個(gè)內(nèi)部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC

        ◆  2個(gè)外部中斷：INT0，INT1
        ◆  ADC

               5個(gè)外部ADC輸入

               1個(gè)內(nèi)部電池檢測(cè)

               內(nèi)部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V）