產(chǎn)品簡介：

HS52F2824 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 1T 速度 51 內(nèi)核單片機(jī)，它內(nèi)建了 16Kx8-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、256Byte+512byte 的 SRAM，包含 6 路 12 位 PWM，集成了一個(gè) 12 位 SAR ADC。

CPU特性：

◆ 1T8051 指令，4 級中斷優(yōu)先設(shè)置，雙數(shù)據(jù)指針(DPTRS)

◆ 16K×8 的程序存儲(chǔ)器，靈活代碼保護(hù)，重復(fù)寫入 1 萬次

◆ 256× 8 位 EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，重復(fù)寫入 10 萬次，10 年以上保存壽命

◆ 256× 8 位 IRAM+ 512× 8 位 XRAM

◆ T0、T1 定時(shí)器兼容傳統(tǒng) 8051 的 T0、T1 定時(shí)/計(jì)數(shù)器

◆ T2 定時(shí)器兼容主流廠商的 T2 定時(shí)/計(jì)數(shù)器

◆ 一個(gè)增強(qiáng)型 EUART

◆ 一個(gè)兼容傳統(tǒng) 8051 的 UART

◆ 4 組功能 IO 口，共 18 個(gè) IO，驅(qū)動(dòng)最大可達(dá) 100mA

◆ 內(nèi)嵌片上調(diào)試功能，可進(jìn)行在線仿真，2 線燒錄和仿真接口

◆ 多組中斷，T0/T1/T2,TI/RI,INT0/INT1/INT2/INT3/ADC/PWM/SPI/BTM，4 級中斷優(yōu)先級設(shè)置

◆ 內(nèi)置 16MHz±1.5%高速振蕩器，內(nèi)置 128Khz±7%低速晶體振蕩器。

◆ 支持 ISP 和 IAP 模式，擁有 BOOT 功能，LOAD ROM 可以 1K、2K、3K 或 4K

◆ 內(nèi)置 6 級 LVR

◆ SPI 通信接口

◆ WDT 可設(shè)置分頻和時(shí)鐘源

◆ 6 路共用周期 12bit PWM，可分為 3 組互補(bǔ)帶死區(qū) PWM

◆ 12 路 12bit ADC，可內(nèi)建 1.5v、2v、3v 參考基準(zhǔn)/可測 VDD

◆ 省電模式 IDLE，可任意外中斷喚醒

◆ sleep 模式，可外中斷、端口變化中斷、BTM 溢出喚醒

◆ 軟件可設(shè)置主頻分頻和時(shí)鐘源切換

◆ 寬工作電壓范圍：2.2V 至 5.5V

◆ 工作溫度：-40~105℃

◆ ESD：6000V；Latch up：300mA

◆ 基于 KEILTM開發(fā)環(huán)境