HS23F2221D

HS23F2221D產(chǎn)品簡介:

圖片[1]-HS23F2221D數(shù)據(jù)手冊-深圳市億勝盈科科技有限公司

       HS23F2221D是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內(nèi)建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM,包含3個12位PWM及3個8位PWM,同時包含了可配置的端口比較器模塊。

CPU特性:

        ◆ 42條RISC指令,除了跳轉(zhuǎn)指令是兩個周期,所有的指令都是單周期

        ◆ 14位寬指令,8位寬數(shù)據(jù)路徑,5級深度硬件堆棧

        ◆ 支持GOTO指令全ROM跳轉(zhuǎn)、支持全ROM子程序調(diào)用

        ◆ 2K×14的程序存儲器

        ◆ 128 × 8位 EEPROM數(shù)據(jù)存儲區(qū)

        ◆ 128 × 8位通用寄存器, 直接、間接尋址方式

        ◆ 擁有1個可編程預(yù)分頻器的8位實時時鐘/計數(shù)器(TMR0)

        ◆ 擁有1個可編程預(yù)分頻器的12位實時時鐘/計數(shù)器(TP0)

        ◆ 擁有1個可編程預(yù)分頻器的16位實時時鐘/計數(shù)器(TC0)

        ◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

        ◆ 1組帶死區(qū)的12位PWM,可配置為3路12位PWM

        ◆ 可配置的端口比較器資源

        ◆ 內(nèi)部上電復(fù)位電路(POR)、內(nèi)置欠壓復(fù)位(LVR)

        ◆ 上電復(fù)位定時器(PWRT)和振蕩器啟動定時器(OST)

        ◆ 看門狗定時器(WDT)使用內(nèi)部晶振可靠性高,由軟件使能或禁止

        ◆ 2組I/O口,可配置上拉、下拉和開漏等狀態(tài)

        ◆ 4種工作模式可任意切換:正常模式、低速模式、睡眠模式、綠色模式

        ◆ 喚醒睡眠:INT/INT1管腳中斷、IOB的輸入狀態(tài)改變、TC0溢出喚醒、COMP喚醒

        ◆ 喚醒綠色:INT/INT1管腳中斷、IOB的輸入狀態(tài)改變、TC0溢出喚醒、COMP喚醒、TP0溢出喚醒

        ◆ 省電休眠模式,可編程代碼保護

        ◆ 可選的振蕩器選項:內(nèi)部高速振蕩器、內(nèi)部低速振蕩器、外部低速晶體振蕩器

        ◆ 6種可用中斷:TMR0溢出中斷、TC0溢出中斷、IOB端口變化中斷、INT/INT1中斷、TP0溢出中斷、COMP比較中斷

        ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V至5.5V

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THE END
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