HS16F3612產(chǎn)品簡介：

HS16F3612 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 8 位單片機，它內(nèi)建了 4K 字的 FLASH、128 Byte 的 EEPROM、336Byte 的 SRAM，6 路帶死區(qū) 12 位 PWM（T2）及 1 個 8 位定時器（TC1_RTC），含有可選擇的觸摸按鍵功能模塊，ADC 模塊及 UART 模塊。

CPU特性：

◆ 39 條 RISC 指令，除了跳轉(zhuǎn)指令是兩個周期，所有的指令都是單周期

◆ 兼容 PIC 指令

◆ 8 級深度硬件堆棧

◆ 支持 GOTO 指令 2k 內(nèi) ROM 跳轉(zhuǎn)、支持 2k 內(nèi) ROM 子程序調(diào)用，超過 2k 需操作 PCLATH

◆ 4K 字的程序存儲器

◆ 128 × 8 位 EEPROM 數(shù)據(jù)存儲區(qū)

◆ 336 × 8 位通用寄存器

◆ 直接、間接尋址方式

◆ 1個可預(yù)分頻器的8位計數(shù)器TMR0

◆ 1個可預(yù)分頻器的8位RTC定時器/普通定時器TC1

◆ 1個可預(yù)分頻的12位定時鐘/計數(shù)器T2，可配置6路12位PWM

◆ 1個可預(yù)分頻的12位定時鐘/計數(shù)器T3，可配置2路12位PWM（相關(guān)寄存器bank需手動切換， 非必要不使用）

◆ 10 通道的觸摸按鍵模塊

◆ 13 通道的 12 位 ADC 模塊

◆ 1組獨立UART串口，TX/RX可獨立使用，且可映射不同端口，可參與喚醒

◆ 1組獨立UART1串口，TX1/RX1可獨立使用（相關(guān)寄存器bank需手動切換，非必要不使用）

◆ 內(nèi)部上電復(fù)位電路（POR）、內(nèi)置欠壓復(fù)位（LVR）

◆ 上電復(fù)位定時器（PWRT）和振蕩器啟動定時器（OST）

◆ 3組18個I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和開漏等狀態(tài)，IOC無開漏

◆ 4 種工作模式可任意切換：正常模式、低速模式、睡眠模式、綠色模式

◆ 喚醒睡眠：INT/INT1 管腳中斷、PA/PB 的輸入狀態(tài)改變、TC1 溢出喚醒

◆ 喚醒綠色：INT/INT1 管腳中斷、PA/PB 的輸入狀態(tài)改變、TC1 溢出喚醒、T2 溢出喚醒、T3 溢出喚醒、TK 喚醒 

◆ 省電休眠模式，可編程代碼保護

◆ 可選的振蕩器選項：內(nèi)部高速振蕩器、內(nèi)部低速振蕩器、外部低速晶體振蕩器（LP）、外部 高速晶體振蕩器（HS/XT）、RTC 模式

◆ 13 種可用中斷：TMR0 溢出中斷、TC1 溢出中斷、T2 溢出中斷、T3 溢出中斷、PA/PB 端口 變化中斷、INT0 中斷、INT1 中斷、TK 中斷、ADC 中斷、UART 收、發(fā)中斷、UART1 收、發(fā)中斷

◆ 寬工作電壓范圍：2.2V 至 5.5V

◆ 可支持 C編譯，C仿真，可在線調(diào)試

◆ 8M/16M主頻可選，且頻率可軟件配置

◆ 端口驅(qū)動2級可選